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新一代半导体材料集成攻关大足球比分即时比分
副研究员崔潆心博士受邀赴马来西亚槟城，参加第十届IEEE电子器件技术与制造会议（EDTM 2026）。
作为由IEEE电子器件学会（EDS）创立并赞助的亚洲顶级学术盛会，EDTM在电子器件领域具有重要的国际影响力。本届会议聚焦器件、材料、建模与仿真、制造工艺及封装测试等前沿议题，旨在为系统集成领域的创新技术提供交流足球比分即时比分
，推动智能环境与集成生态的构建。
崔潆心在本次会议中受邀请担任“Reliability and Testing（可靠性与测试）”分会场的执行主席，并作了题为《Degradation Evaluation of SiC MOSFETs in HTRB test with Various Gate Biases（不同栅极偏压下SiC MOSFET在高温反偏测试中的退化评估）》的邀请报告。报告围绕宽禁带半导体功率器件在实际工况下的可靠性退化机制，展示了其在碳化硅（SiC）功率器件可靠性研究领域的最新成果，获得了与会专家的高度关注与积极评价。
参会期间，崔潆心应马来西亚理科大学教授Kuan Yew Cheong的邀请，前往该校进行访问交流。双方重点围绕碳化硅（SiC）MOSFET器件在负栅压高温反偏条件下出现的器件特性异常变化开展了深入研讨，并就未来共同的研究计划与潜在合作方向展开了探讨，为后续的实质性国际合作奠定了基础。
