主讲人：刘扬教授
邀请人：徐现刚教授
时间：2025年7月13日（周日）下午14:30
地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室
报告摘要
能源生产清洁化和能源消费电气化是实现“双碳”目标的必经之路，功率半导体技术在这两个过程中发挥着重要作用。以氮化镓（GaN）为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性，在消费类电子、工业电子、汽车电子、航空航天电子领域有着广阔的应用，对双碳目标的实现以及国家战略安全有着重要的战略意义。历经二十年产业链上下游的协同发展，目前已经解决大尺寸Si衬底上高耐压GaN材料外延，稳定常关型器件的制备以及与CMOS兼容的芯片制备工艺等GaN功率半导体的关键共性技术问题，并在在消费类电子领域实现了初步的推广应用。同时，支撑GaN器件性能持续提升的衬底技术也在不断演化，其在热管理能力、晶体质量与成本的权衡正深刻影响着高性能GaN器件的发展路径。本报告将结合影响当前行业的痛点问题，分享关于未来三族氮化物功率半导体技术发展趋势的一些思考，以及中山大学团队的以往工作及未来规划。
个人简介
中山大学电子与信息工程学院教授，博士生导师，中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心主任，国际IEEE电子器件学会（EDS）功率半导体器件与集成电路技术委员会委员、中国电源学会理事，中国大陆GaN功率半导体领域学术与产业的拓荒者。从事III族氮化物功率半导体材料与器件研究以及产业化推广工作二十余年，曾在大尺寸Si衬底GaN异质结构功率半导体材料与器件制备方面取得重要的进展与突破，并完成该技术的产业化转移。2017年入选国际权威功率电子器件会议ISPSD技术委员会，成为GaN领域入选该学术组织的首位中国大陆学者。国家及广东省十四五重点研发计划指南编制专家。主持国家重点研发计划课题项目、国家自然科学基金重点项目、广东省重大科技专项等多项项目。
